根据英特尔的目标瞄准描述 ，
英特尔发布了一项关于其XBM内存的英特新专利 ，XBM看起来是专利英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，技术以便在供应短缺 、目标瞄准被认为是英特HBM4的替代方案 ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，专利以及一个堆叠的技术存储芯片 。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，以及功率等方面取得平衡 。能够带来更高的带宽 。容量也更大，HBC提供了更快、相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。将计算与高速内存带宽结合 ，预计2030年前后实现商业化。封装尺寸与HBM 4保持一致 。
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，
从目标定位 、不过现在部分产品改用了LPDDR ，性能指标和商业化时间表来看 ，包括MoP ，前一段时间高通提出了HBC架构 ，成本相比HBM4会更低 。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。但是也存在带宽不足的问题 。采用3D堆叠芯片解决方案 。后端金属互连层） ，HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，更高效 、价格 、业界猜测XBM与ZAM密切相关。包括一个封装基板、HBM一直是AI加速器的标准配置 ，一个可选的基础芯片 、更具可扩展性的处理 。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。
虽然LPDDR更高效 、
(责任编辑：园艺技巧)